三酸抛光工艺 三酸抛光 昆山韩铝化学表面材料

氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，三酸抛光剂，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，三酸抛光，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

注意事项根据我公司长时间对抛光工艺的摸索与实践，光亮剂在抛光液中几乎消耗相当细微，因此时视具体的情况配比补加光亮剂，新配抛光溶液抛光时间要短；温度偏高时，抛光时间要短些，若抛光2min以上仍不光亮时，可观察抛光时液面泡沫的多少，三酸抛光价格，酌情添加光亮剂，泡沫少时可按适当比例添加部份光亮剂，泡沫多时只要按比例加入磷酸和硫酸即可。生产一段时间后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化学抛光后的产品需要反复清洗，否则酸液残留于工件表面将会导致表面产生白霜点。

1. LED行业LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，三酸抛光工艺，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。

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